В 512-гигабайтных модулях RDIMM DDR5 южнокорейский гигант применил микросхемы DRAM с технологией HKMG (High-K Metal Gate). Она также используется в чипах GDDR6 и, как утверждает чипмейкер, помогает снизить утечки тока и на 13% уменьшить энергопотребление памяти. Одна BGA-микросхема DDR5 содержит восемь 16-гигабитных кристаллов, связанных посредством межкремниевых соединений through-silicon-via (TSV).

К сожалению, Samsung не спешит раскрывать подробные характеристики новых модулей. Вендор ограничился заявлениями о работе над различными вариантами планок с эффективной частотой вплоть до 7200 МГц. Образцы новинок уже направлены партнёрам корейцев для дальнейших испытаний. Больше подробностей о модулях DDR5 станет известно во второй половине этого года, когда Intel и AMD начнут делиться информацией о готовящихся платформах для ПК и серверов.